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      漏源（yuán）电压BV DSS (V)(Min.)：

      600

      导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

      115

      导通（tōng）电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

      150

      最大漏极电流Id(on)(A)：

      24

      通道（dào）极性：

      N沟道

      封装/温度(℃)：

      TO-220F-3L/-55~125

      描（miáo）述：

      600V,150mΩ,24A,N沟道基于超（chāo）级（jí）结技术（shù）的（de）功（gōng）率MOSFET



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